AUIRLS3034-7Pàg

Dissenyat específicament per a aplicacions d'automoció, aquest MOSFET de potència HEXFET utilitza les últimes tècniques de processament per aconseguir una resistència extremadament baixa per àrea de silici. Les característiques addicionals d'aquest disseny són una temperatura de funcionament de la unió de 175 graus, una velocitat de commutació ràpida i una qualificació d'allau repetitiva millorada.