Transistor d'efecte de camp

• MIC4427YM

  La família MIC4426/4427/4428 són controladors MOSFET de doble cara baixa altament fiables fabricats

  Més
• IRFP064NPBF

  Els HEXFET de cinquena generació d'International Rectifier utilitzen tècniques de processament

  Més
• AOD407

  Descripció general L'AOD407 utilitza tecnologia de trinxera avançada per proporcionar un excel·lent

  Més
• FDP61N20

  Descripció UniFETTM MOSFET és la família MOSFET d'alta tensió de Fairchild Semiconductor basada en

  Més
• IPD90N04S4-05

  Característiques • N-canal - Mode de millora • Qualificat AEC • MSL1 fins a 260 ° C reflux pic •

  Més
• AO3415

  L'AO3415 utilitza tecnologia avançada de trinxeres per proporcionar excel·lent RDS (ON), càrrega de

  Més
• AO3407A

  L'AO3407A són els MOSFET Pch de trinxeres d'alta densitat de cèl·lules, que ofereixen un RDSON i

  Més
• IRF540NPBF

  Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques

  Més
• BSS138

  Disseny de cel·les d'alta densitat per a RDS extremadament baix(on). Robust i relaible.

  Més
• SI2310-TP

  Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)

  Més